DMMT5551-TP

功能描述:TRANSISTOR NPN 200MA 160V SOT363

RoHS:

类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列

系列:-

标准包装:10,000

系列:-

晶体管类型:2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA

电压 - 集电极发射极击穿(最大):45V

Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大):-

在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 2mA,5V

功率 - 最大:250mW

频率 - 转换:250MHz

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商设备封装:PG-SOT363-6

包装:带卷 (TR)

其它名称:SP000747402

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